电源系统

　　芯创微半导体的GreenMOS™系列高压MOSFET产品采用独特专利器件结构和制造工艺，具有比常规超级结(Super-Junction)MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡。不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，同时大大简化了系统EMI设计。GreenMOS™系列产品覆盖600-800V全系列，最大提供高达76A静态电流的规格，可以满足各种电源系统的需求。由于其高效率低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩及其他高密度高频率电源系统。

GreenMOS 特点介绍

　　GreenMOSTM系列产品是芯创微半导体推出的一种新型超级结（Super-Junction）功率器件。相对于其他公司的超级结器件，芯创微半导体的GreenMOS具有“快而不震”的优点，其显著特点如下所述：
　　1.Soft-Switching (软开关)：GreenMOSTM对常规超级结功率器件的制造流程进行了多项优化设计，使器件内部的杂质分布及电容更适合于外部电路的高速开关动作，减小了纹波噪音和电压尖峰，由此所得到的开关波形更加平滑，开关期间的栅极震荡更低，有利于EMI的改善。
　　2.LOW FOM (低优值)：FOM(Figure of merit)是衡量功率器件设计优劣的重要标准，计算公式为Rdson*Qg，FOM越小表明器件的性能越佳。GreenMOSTM系列优化了器件的制造流程和设计，一方面通过独特的设计方法降低了Qg，另一方面在保持Low Qg的同时通过优化器件制造流程使得器件的比导通电阻更小，从而降低了GreenMOSTM的开态电阻。这两方面相辅相成使GreenMOSTM具备了业内领先的FOM值，其优秀的FOM特性使GreenMOSTM的动态损耗可降低到常规超级结器件的2/3，同时也支持2MHz的开关频率。开关速度甚至接近了高端的第三代半导体器件 - 高压GaN功率器件。